设备用途：
MBE是生长高纯薄膜晶体的一种顶尖的薄膜生长手段，相比其他生长方法具有较高的优越性，可以在原子层量级精确控制薄膜厚度和掺杂度，可以实现通过人为生长进行能带工程的剪裁，可以生长量子点、量子阱、二维超晶格等。
可生长外延结构
光学器件（激光器、探测器、可饱和吸收镜、超辐射发光二极管等）
电学器件（HEMT，pHEMT,HBT等）