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设备用途光刻机发出的紫外光通过具有特定图形结构的掩膜版对样片曝光，然后通过显影将掩膜版上的图形结构转移到样片表面的光刻胶上。
主要技术指标：可选波长：365nm 405nm 436nm可加工尺寸：2inch 3inch 4inch晶圆和≥1cm2碎片极限分辨率：0.8um正面套刻精度：≤0.25um曝光稳定性：±1%曝光模式：真空接触、硬接触、软接触和泛曝光
