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设备用途光刻机发出的紫外光通过具有特定图形结构的掩膜版对样片曝光，然后通过显影将掩膜版上的图形结构转移到样片表面的光刻胶上。
主要技术指标：曝光波长：350nm---450nm 可加工尺寸：2inch 3inch晶圆和≥1.5cm2碎片极限分辨率：3um正面套刻精度：≤1um线宽均一性：≤3％曝光模式：接触式曝光、接近式曝光
