主要技术指标：
可用气体：Ar、N2、CHF3、NF3、N2O
刻蚀腔体极限真空度： 5×10^-6Torr , 真空漏率 0.5mTorr/min
刻蚀速率： SiO2 ≥30nm/min，SiNx≥30nm/min
刻蚀选择比：对SiO2＞2.5,对Si3N4＞1.5
侧壁角度：＞80℃
加工尺寸：2inch、3inch、4inch、碎片