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设备用途利用F基和Cl基气体产生的plasma，对化合物材料和硅基进行刻蚀加工
主要技术指标：可用气体：Ar、N2、O2、SF6、H2、CH4、Cl2、BCl3可刻蚀材料：InP、GaAs、Si加工尺寸：≤8inch最大刻蚀速率：对InP＞200nm/min，对GaAs＞200nm/min，刻蚀均匀性：≤3%
