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设备用途主要用于二氧化硅和氮化硅介质膜沉积
主要技术指标：气体：SIH4 CF4 PN2 NH3 N20 O2沉积速率：> 30nm/min均匀性：片内小于±5%，片间小于±5%，批次小于±5%
